주요외신에 따르면 IBM과 삼성전자, 글로벌피운드리스, 뉴욕주립대학(SUNY) 등은 현 14나노미터칩보다 집적도를 4배 향상시킨 7나노미터칩을 개발하는 데 성공했다.
인텔을 비롯한 대부분의 반도체 업체들이 10나노미터칩을 차세대칩으로 개발하고 있는데 반해 이번에 개발된 7나노 칩은 삼성전자의 14나노 공정보다 두 세대, 내년에 인텔, TSMC에서 상용화할 10나노 공정보다 한 세대 앞선 차차기 반도체 공정이다.
IBM은 실리콘과 게르마늄 합금을 이용한 극자외선 반도체인쇄기술(EUV)을 통해 파장을 193나노미터에서 13.5나노미터로 획기적으로 개선해 7나노미터칩을 개발할 수 있었다.
7나노미터칩은 손톱만한 면적에 200억 개의 실리콘 게르마늄 트랜지스터가 집적돼 있다. 트랜지스터는 그동안 7나노미터 이하 공정으로 개발된 적이 있지만 반도체칩을 7나노미터 공정으로 생산한 것은 이번이 처음이다.
7나노미터칩의 상용화는 2017년~2018년에나 가능할 전망이다. IBM과 삼성전자가 채택한 EUV는 실리콘 게르마늄(SiGe)보다 집적도가 높지만 안정성이 떨어지고 제조원가가 많이 들어 이 문제를 해결하는 데 시간이 좀 더 필요하기 때문이다.
IBM은 지난해 적자에 허덕이던 반도체 사업부를 파운드리 업체인 글로벌파운드리즈(GF)에 매각한 이후 향후 5년 동안 30억 달러 규모를 반도체 분야에 투자하겠다고 밝혔다. 이번 7나노 칩 개발은 IBM이 지난해에 발표한 반도체 투자 계획의 일부로 알려지고 있다.
